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Samsung Electronics, líder mundial en tecnología avanzada de semiconductores, anunció hoy que completó el desarrollo de la primera DRAM Graphics Double Data Rate 7 (GDDR7) de la industria. Primero se instalará en los sistemas de próxima generación de clientes clave para su verificación este año, impulsando el crecimiento futuro del mercado de gráficos y consolidando aún más el liderazgo tecnológico de Samsung en el campo.
Tras el desarrollo de Samsung de la primera DRAM GDDR6 de 24 Gbps de la industria en 2022, la oferta de GDDR7 de 16 gigabits (Gb) de la compañía ofrecerá la velocidad más alta de la industria hasta el momento. Las innovaciones en el diseño y empaquetado de circuitos integrados (IC) brindan mayor estabilidad a pesar de las operaciones de alta velocidad.
“Nuestra DRAM GDDR7 ayudará a mejorar las experiencias de los usuarios en áreas que requieren un rendimiento gráfico excepcional, como estaciones de trabajo, PC y consolas de juegos, y se espera que se expanda a aplicaciones futuras como IA, computación de alto rendimiento (HPC) y vehículos automotores”, dijo Yongcheol Bae, vicepresidente ejecutivo del equipo de planificación de productos de memoria de Samsung Electronics. “La DRAM de gráficos de próxima generación se lanzará al mercado de acuerdo con la demanda de la industria y planeamos continuar con nuestro liderazgo en el espacio”.
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GDDR7 de Samsung logra un impresionante ancho de banda de 1,5 terabytes por segundo (TBps), que es 1,4 veces mayor que los 1,1 TBps de GDDR6 y presenta una velocidad mejorada por pin de hasta 32 Gbps. Las mejoras son posibles gracias al método de señalización de modulación de amplitud de pulso (PAM3) adoptado para el nuevo estándar de memoria en lugar del método sin retorno a cero (NRZ) de generaciones anteriores. PAM3 permite transmitir un 50% más de datos que NRZ dentro del mismo ciclo de señalización.
Significativamente, en comparación con GDDR6, el último diseño es un 20 % más eficiente energéticamente con tecnología de diseño de ahorro de energía optimizada para operaciones de alta velocidad. Para aplicaciones especialmente conscientes del uso de energía, como las computadoras portátiles, Samsung ofrece una opción de bajo voltaje operativo.
Para minimizar la generación de calor, se utiliza un compuesto de moldeo epoxi (EMC) con alta conductividad térmica para el material de empaque, además de la optimización de la arquitectura IC. Estas mejoras reducen drásticamente la resistencia térmica en un 70 % en comparación con GDDR6, lo que ayuda a un rendimiento estable del producto incluso en condiciones de operaciones de alta velocidad.
Amante de la tecnología con 7 años de experiencia en el cubrimiento informativo de este sector en temas como telecomunicaciones, tecnología de consumo, dispositivos móviles y plataformas en Colombia.
Mi opinión sobre tecnología ha sido tomada por medios como La República o AS. Soy especialista productos de consumo masivo y reviews de hardware. Soy director de tecnogus.com.co