LPDDR5T de SK hynix completa la validación de compatibilidad con Qualcomm

SK hynix Inc. anunció hoy que ha comenzado la comercialización del LPDDR5T (Low Power Double Data Rate 5 Turbo )*, la DRAM para móviles más rápida del mundo con una velocidad de 9,6 Gbps.

La compañía dijo que obtuvo la validación de que el LPDDR5T es compatible con la nueva plataforma móvil Snapdragon® 8 Gen 3 de Qualcomm Technologies, lo que marca el primer caso de la industria para que dicho producto sea verificado por la compañía estadounidense.

*LPDDR : DRAM de bajo consumo para dispositivos móviles, incluidos teléfonos inteligentes y tabletas, destinada a minimizar el consumo de energía y que presenta funcionamiento en bajo voltaje. Las últimas especificaciones son para la séptima generación, sucediendo a las series que terminan con 1, 2, 3, 4, 4X, 5 y 5X. LPDDR5T es una versión recientemente desarrollada por SK hynix y un producto actualizado de la séptima generación  (5X),  antes del desarrollo del LPDDR6 de octava generación.

SK hynix ha procedido con la validación de compatibilidad del LPDDR5T, tras finalizar el desarrollo en enero, con el apoyo de Qualcomm Technologies. La finalización del proceso significa que es compatible con Snapdragon 8 Gen 3.

Una vez completado con éxito el proceso de validación con Qualcomm Technologies, líder en productos y servicios de telecomunicaciones inalámbricas, y otros importantes proveedores de AP (procesadores de aplicaciones) móviles, SK hynix espera que el rango de adopción de LPDDR5T crezca rápidamente.

La compañía planea ofrecer un producto con capacidad de 16 GB, una combinación de múltiples chips LPDDR5T individuales, cuya velocidad de procesamiento de datos es de 77 GB por segundo, equivalente a procesar 15 películas Full-HD en un segundo.

El producto LPDDR5T también tiene una ventaja en el consumo de energía, ya que funciona con el voltaje más bajo de los estándares de 1,01 ~ 1,12 V estipulados por el Consejo Conjunto de Ingeniería de Dispositivos Electrónicos (JEDEC).

SK hynix aplicó el proceso HKMG (High-K Metal Gate)** para lograr una mejora notable tanto en velocidad como en eficiencia energética. Con la adopción de esta tecnología, la compañía espera que el LPDDR5T gane una gran participación de mercado antes de que se presente el LPDDR6 de próxima generación.

**HKMG: Un proceso de próxima generación que utiliza un material con una constante dieléctrica alta (K) en la película aislante dentro de los transistores DRAM para evitar corrientes de fuga y mejorar la capacitancia. Reduce el consumo de energía, al tiempo que aumenta la velocidad. SK hynix fue el primero de la industria en integrar el proceso en DRAM móvil en noviembre.

«Las aplicaciones de IA generativa que se ejecutan en nuestro nuevo Snapdragon 8 Gen 3 permiten casos de uso nuevos e interesantes al ejecutar LLM y LVM en el dispositivo con una latencia mínima y con el consumo más bajo», afirmó Ziad Asghar , vicepresidente senior de gestión de productos de Qualcomm Technologies, Inc. «Nuestra colaboración con SK hynix combina la memoria móvil más rápida con nuestra última plataforma móvil Snapdragon y ofrece increíbles experiencias de IA ultrapersonalizadas en el dispositivo, como asistentes virtuales de IA para usuarios de teléfonos inteligentes».

«Estamos encantados de haber satisfecho las necesidades de nuestros clientes en cuanto a DRAM móvil de rendimiento ultraalto con el suministro de LPDDR5T», afirmó Sungsoo Ryu , jefe de planificación de productos DRAM en SK hynix.

Ryu dijo que se espera que los teléfonos inteligentes aumenten su presencia como dispositivos clave donde se aplicarán plenamente las tecnologías de inteligencia artificial en los próximos años. «Creo que las funciones de los teléfonos inteligentes, respaldadas por una excelente DRAM para dispositivos móviles, deberían seguir mejorando. Continuaremos trabajando para fortalecer nuestra colaboración con Qualcomm Technologies para hacer avanzar la tecnología en este espacio».